Name: Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ900E-T1_GE3
Price: 1.2246 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3

Artikelnummer:

SQJQ900E-T1_GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SQJQ900E-T1_GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 8 x 8 Dual
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max	75W
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® 8 x 8 Dual
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5900pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SQJQ900
SQJQ900E-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English]	SQJQ900E-T1_GE3 PDF - EN.pdf

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